的时候总会蹦出“FinFet工艺制造”之类的名词，那到底什么是FinFET工艺，到底有什么优势让国际大厂趋之若鹫？

　　FinFET称为鳍式场效应晶体管（FinField-EffectTransistor），是由美籍华人科学家胡正明教授提出的，其中的Fin在构造上与鱼鳍非常相似，所以称为“鳍式”，而FET的全名是“场效电晶体”。

　　FinFET是一种新的互补式金属氧半导体（CMOS）晶体管，源自于传统标准的晶体管—“场效晶体管”的一项创新设计。

　　传统晶体管结构是平面的，所以只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开。但是在FinFET架构中，闸门被设计成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种叉状3D架构不仅能改善电路控制和减少漏电流，同时让晶体管的闸长大幅度缩减。

　　最早使用FinFET工艺的是英特尔，他们在22纳米的第三代酷睿处理器上使用FinFET工艺，随后各大半导体厂商也开始转进到FinFET工艺之中，其中包括了台积电16nm、10nm、三星14nm、10nm以及格罗方德的14nm。

　　不过FinFET工艺的极限是7nm制程，第一代的7nm工艺还将会继续使用FinFET工艺，但是接下来就需要依赖极紫外光刻机了。

　　前面提到的FinFET可以理解为立体的晶体管，传统平面的晶体管所采用的是FD-SOI工艺。虽然这几年的FinFET工艺占据了大多数人的视线，但是FD-SOI工艺依然非常重要。

　　如果要是FinFET工艺核FD-SOI达到相同性能，FD-SOI工艺在制造过程中相对简单，但是SOI基片价格稍贵，而FinFET工艺虽然制造过程更为复杂，但是由于基片价格便宜，让两者的实际制造成本相差不大。

　　其中的Double Patterning是目前主流的FinFET制造工艺。它的原理就是先pattern一批80nm精度的图样，然后再交错Pattern一批80nm精度的图样;在两次光刻之后，就可以将精度提升到40nm。

　　特尔的做法就是先用普通精度的光刻可出一堆“架子”，然后在架子上沉淀一层很薄的硅，再选择性的使用把多余的材料弄走，剩下立着的就是超薄的Fin了。准确点来说，这个Fin不是刻出来的，而是长出来的。

　　FinFET工艺实质上就是再原油的基础上增加了一个栅极，这样可以让尺寸很小的晶体管减少漏电。因为大部分的漏电是来自于沟道下方的流通区域，也就是短沟道效应。

　　就有人开始想：既然电子是在沟道中运动，物理模型需要这片区域来平衡电荷，所以就有了沟道下方的耗尽层。但在短沟道器件里面，把耗尽层和沟道放在一起，等着漏电流白白地流过安博平台 安博体育在线去。

　　台积电去年宣布，计划联合ARM、Xilinx、Cadence，共同打造全球首个基于7nm工艺的芯片。

　　更确切地说，这四家半导体大厂将采用台积电7nm？FinFET工艺，制造一款CCIX（缓存一致性互联加速器）测试芯片，2018年第一季度完成流片。

　　该芯片一方面用来试验台积电的新工艺，另一方面则可以验证多核心ARM？CPU通过一致性互连通道与片外FPGA加速器协作的能力。

　　这款测试芯片基于ARMv8.2计算核心，拥有DynamIQ、CMN-600互连总线，可支持异构多核心CPU。

　　Cadence则提供CCIX、DDR4内存控制器、PCI-E？3.0/4.0总线、外围总线等IP，并负责验证和部署流程。

　　7nm将是台积电的一个重要节点（10nm仅针对手机），可满足从高性能到低功耗的各种应用领域，第一个版本CLN？7FF保证可将功耗降低60％、核心面积缩小70％，2019年则退出更高级的CLN？7FF+版本，融入EUV极紫外光刻，进一步提升晶体管集安博平台 安博体育在线成度、能效和良品率。

　　随着三星10纳米制程借高通骁龙835处理器的亮相，以及由台积电10纳米制程所生产的联发科HelioX30处理器，在魅族Pro7系列手机首发，之后还有海思麒麟970及苹果A11处理器的加持下，手机处理器的10纳米制程时代可说是正式展开。而对于下一代的7纳米制程，当前来看，应该仍是三星与台积电两大龙头的天下。由于在7纳米制程中，极其依赖的极紫外光（EUV）设备，中国厂商在短期间内仍无法购买到。这对于正积极建构自身半导体生产能量的中国来说，将可能在7纳米这个制程节点上被拉远距离。

　　事实上，对于7纳米制程，三星和台积电两大晶圆代工龙头都早已入手布局，以便争夺IC设计业者们的订单。其中，日前传出三星原定在2018年破土动工的韩国华城18号生产线，动工时间已经被提前到了2017年的11月，以便在2019年能够进入7纳米制程的量产阶段。其中，18号生产线多台极紫外光（EUV）设备，以强化生产效能。

　　至于，台积电在7纳米制程的布局，根据台积电高层之前在法说会上的说法，表示目前已经有12个产品设计定案，这使得第一代7纳米制程将会在2017年底或2018年达成量产。至于，第二代的7纳米制程则会在2019年达成量产的目标，制程中也将导入EUV的技术。因此，在不论是三星，或者台积电都将在7纳米制程上都将引入EUV技术的情况下，而这种被视为延续摩尔定律的设备，正是被寄望能推动未来制程进步的重要关键。

　　因此，就7纳米制程这个节点的状况来看，在一定程度上也是被EUV设备所控制，而EUV设备却是被荷兰半导体设备厂商艾司摩尔（ASML）所控制的。ASML是一家从事半导体设备设计、制造及销售的企业，自1984年从飞利浦独立出来之后，在2016年先后宣布收购汉微科及蔡司半导体24.9%股份。而这家垄断了高端光刻机市场的厂商，其股东中就包含英特尔（intel）、台积电和三星。根据ASML公布的2017第2季财报，公司单季的营收净额为21亿欧元，毛利率为45%。

　　由于，EUV的研发难度非常大。因此，也造成单价的居高不下，每一台的价格约在高昂1亿欧元上下。而且，这种价值连城的设备还不是有钱就能买到的。例如受限于《瓦圣纳协定（TheWassenaarArrangementonExportControlsforConventionalArmsandDual-UseGoodandTechnologies）》，中国的厂商就买不到这种最高阶的光刻机设备。此外，由于ASML的EUV年产量也只有12台，包括三星及台积电几乎已经抢光了2017到2018年所有产能的情况下，即便有报导称ASML正在提升生产效率，希望在2018年将产能增加到24台，2019年达到40台，但仍不足以应付市场的需求。使得中国厂商即使有机会购买EUV设备，短期恐怕也都要落空。

　　当前，对于大力投入集成电路发展的中国来说，虽然买不到ASML的EUV设备，但是也寻找其他方式希望能有所突破。例如2017年3月，上海微电子装备（集团）就与ASML签署了合作备忘录。6月时，上海集成电路研究开发中心又宣布与ASML合作，将共同建立一个培训中心。另外，由中国本地的长春光机所带领的极紫外光刻关键技术研究专案，也在2017年6月启动。而这些计划，都是中国希望能在EUV设备销售限制上能有所突破准备。但是，实际上在未来是不是真的能有所进展，达成最后的目标，就还有待日后的持续观察。

　　近日，根据外媒MacRumors报道，苹果公司已经选择台积电作为A12处理器的独家代工商，预计2018年下半年推出的三款新iPhone将采用该处理器。报道援引苹果公司供应链中匿名消息人士的线nm工艺制造，在封装体积更小的同时性能更加强大。

　　消息透露，台积电7nmFinFET制程工艺相比三星更加具有竞争力。韩国先驱报去年7月报道，三星已经签订了一项协议，为苹果供应部分A12芯片，但两天后，Digitimes报道，台积电仍然可能独享所有的A12芯片订单。

　　目前台积电已经是iPhone8、iPhone8Plus和iPhoneX所搭载的的A11仿生芯片的独家代工商。如果报道属实的话，那么三星将再次错失苹果的巨额订单。唯一值得安慰的是高通的高端芯片仍然由三星独家代工，但随着三星高端芯片的成熟，高通很可能会寻找新的代工商。

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　　，其所生产的芯片已经超过10亿颗。此外，台积电官网还披露了一个消息，其6

　　All Programmable 技术和器件的全球领先企业赛灵思公司（Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX））今天宣布其与台积公司（ TSMC）已经就

　　和3D IC技术开展合作，共同打造其下一代All Programmable FPGA、MPSoC和3D IC。

　　GlobalFoundries已经决定不走寻常路了，他们确认会取消10

　　生产有可能将会从 2018 年的第一季度提前至 2017 年的第四季度。这就

　　，如果苹果下一代 iPhone 的处理器真的完全由台积电来供应，那么后者的

　　处理器也会在明年下半年发布，而GlobalFoundries已经确定跳过10

　　LPP采用EUV光刻，机器采购自荷兰ASML(阿斯麦)，型号为双工件台NXE:3400B(光源功率280W)，日产能1500片。

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　　就是硅材料芯片的物理极限，碳纳米管复合材料又是怎么一回事呢？面对美国的技术突破，中国应该怎么做呢？XX

　　450 万个门、包含数十亿个晶体管的时钟电路上；跟踪需要 4.5 小时，仿线 个 CPU 上运行。总结设计

　　节点的 SoC 是一项艰巨的任务，需要专业的时钟分析知识以确保首次通过硅片成功。原作者：EETOP编译整理

　　的宽度，也被称为栅长。栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管。目前，业内最重要的代工企业

　　，共同致力于有机、透明与软性的电子研究。“有机半导体将成为信息时代的‘原油’，届时，摩尔定律也将在

　　节点达到极限，”TU Dresden有机组件研究主席Stefan Mansfield表示

　　（对应都是MOS管栅长），目前也有了很多实验室在进行一些更小尺寸的研究。随着MOS管的尺寸不断的变小，沟道的不断变小，出现各种

　　公司第二代使用极紫外光（EUV）技术的制程，其已展现优异的光学能力与符合预期的良好

　　目前的GS464V升级到LA664，因此单核性能有较大提升，达到市场上主流设计。至于未来的

　　ARM芯片，不过代工厂商GlobalFoundries却爆料，“AMD下代处理器将直奔

　　竞争的帷幕。 Intel宣布投资70亿美元升级Fab 42工厂，3-4年后准备生产

　　生产下一代高端芯片骁龙 845 / 840，对于这个笔者认为很可能是又一个谎言！

　　此前，AMD公布的路线图显示，明年AMD会拿出Zen 2处理器，它会采用

　　上，三星已经深知落后台积电不少，后者除了手握苹果、联发科、华为客户外，还凭借

　　本周在火奴鲁鲁举行的VLSI（超大规模集成电路）研讨会上，三星首次分享了基于EUV技术的

　　芯片，苹果这一出手让高通和三星汗颜，而苹果此次合作的代工厂是台积电，由此可见，台积电在制造

　　有望在性能、功耗、芯片面积上都有显著的改善，而且很可能会被用于制造业界最强大的移动处理器。

　　量产下月出货，毫无疑问，在苹果A12将首次搭载，下半年台积电的运营也将进入旺季。

　　，并且会交由台积电独家生产；高通骁龙855、华为麒麟980等处理器也将采用

　　技术处理器晶片虽然面积没有减少，但是进步表现在主频的提升上。官方表示，至于

　　如果没有意外，苹果今年的旗舰手机将会配备台积电生产的A12芯片，该芯片采用

　　，在目前位置已经算非常先进了。不过最新消息称，苹果下代A13芯片，还是会采用

　　在日前举行的Computex 2018发布会上，AMD有些出人意料地进行了高规格的产品发布，公开的产品包括下一代使用

　　上没什么对比性，当然实际性能就不一定了，因此我们可以主要来谈谈AMD的

　　，而打头阵的无疑是移动芯片，目前已知的包括苹果Apple A12／华为麒麟980以及高通骁龙855都是基于

　　麒麟970一样，华为手机处理器再度在去全球领先。和麒麟970相比，麒麟980会有哪些提安博官网 安博体育升？虽然华为没有公布数据，但我们可以从目前台积电公布的

　　的可怕竞争，最近又难倒了一位参赛选手。格罗方德（GlobalFoundries）今日宣布，它将无限期地暂停

　　，英特尔、三星、台积电、格罗方德等知名的半导体代工企业均有这样的实力。

　　AMD Zen架构取得了空前成功，今年还优化为Zen+增强版，并有同样优化的12

　　5月29日，在今天的台北国际电脑展上，联发科对外发布全新5G移动平台，该款多模 5G系统单芯片（SoC）采用

　　在日本的2019 VLSI Symposium超大规模集成电路研讨会上，台积电宣布了两种新

　　日前，高通发布了新一代旗舰平台骁龙865、主流平台骁龙765/765G，分别采用台积电

　　产能现在要抢，AMD的锐龙3000高端型号也遭遇了供不应求的问题，那AMD会使用三星代工吗？

　　显卡之外，AMD的桌面锐龙、HEDT发烧处理器、服务器霄龙及笔记本锐龙APU四大产品线

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　　一直是国内的痛点，所以国内最大的晶圆代工厂中芯国际任重而道远。此前中芯国际已经表态14

　　已经试产，今年就会迎来一轮爆发，年底的产能将达到目前的3-5倍，同时今年内还有可能试产更先进的

　　制程方面，台积电的进度明显要快于英特尔。其实在2017年的时候，英特尔就指出台积电

　　。而且英特尔呼吁行业应该统一命名标准，防止命名混乱。英特尔更希望以晶体管密度作为衡量标准。

　　可以进一步提升芯片的晶体管密度，提升性能并降低功耗，可广泛用于PC、智能手机等设备的元器件中。

　　是数字游戏，Intel被大家误会了。不过今年Intel推出了新一代的10

　　这几天发布Q3季度财报之后，Intel的股价跳水了10%，损失了1700多亿的市值，一方面是Q3利润下滑，一方面还是跟Intel

　　，AMD、苹果、高通、NVIDIA等公司也会跟着受益，现在自己生产芯片的就剩下Intel了，然而安博官网 安博体育它们的

　　的锐龙5000、RDNA2架构的RX 6000系列显卡，不过上市一两个月来还是在缺货，原因是

　　的产能，也就有了给予其他厂商更多的可能，去年下半年 AMD 获得的产能

　　芯片已经被IBM研制出来了，在这一颗指甲盖大小面积的芯片上可以容纳500亿颗晶体管，芯片制程

　　密度高3.3倍，性能提升达到了35%以上，同样性能下功耗减少了65%，在当时

　　更小的芯片，5纳米芯片要优于7纳米芯片，但是最终还是要看机器是否能够发挥芯片的最大功效。

　　在芯片设计和制造中，纳米表示的是芯片中晶体管与晶体管之间的距离，在体积相同大小的情况下，